EEP,eeprom

摘要:EEP,eeprom 关于EEP可能家人们还不了解,今天爱六八收集了EEP相关资料为大家介绍:EEP与EEPROM的介绍EEP的定义EEP,全称为Electrically Erasable Programmable Read-Only Memory,即电可擦可编程只读存储器。它是在EPROM的基础上,通过使用电信号来擦除...

EEP,eeprom

关于EEP可能家人们还不了解,今天爱六八收集了EEP相关资料为大家介绍:

EEP,eeprom-图1

EEP与EEPROM的介绍

EEP的定义

EEP,全称为Electrically Erasable Programmable Read-Only Memory,即电可擦可编程只读存储器。它是在EPROM的基础上,通过使用电信号来擦除存储内容,而不必像EPROM那样使用紫外线进行擦除。

EEPROM的定义

EEPROM,即Electrically Erasable Programmable Read-Only Memory,又称电可擦可编程只读存储器,是一种在ROM中加入擦写功能而得到的存储器。EEPROM可以在有电的情况下进行数据的擦除和编程。同EEP一样,EEPROM是一种非挥发性存储器,能够在断电的情况下保持数据内容的稳定性。

EEP的工作原理

EEP的存储方式和单元结构

EEPROM存储的和EPROM一样,在实现数据存取的时候需要发送地址信息以及控制信号来和存储芯片进行交互。但EEPROM在数据擦除和写入时,在电可能状态下,EEPROM在单元晶体管的栅极和源极之间具有非常高的电场,这样就能够将电荷注入或发射又从晶体管中取出。

由于EEPROM是对EPROM的改进,因此与EPROM相比,EEPROM的存取速度和密度都有了很大的提升。

EEPROM的应用和优点

EEPROM与EPROM比较,优点明显。因为EEPROM可多次擦写,而EPROM只能擦写一次。因此EEPROM可以用于需要频繁读写的应用。例如:在计算机中,可将EEPROM用于BIOS中,以提供操作系统的启动信息,还可以在一些固定数据的存储中被使用。

EEPROM的工作原理

EEPROM的内部结构

EEPROM的内部由存储单元色可分为3大类:普通NMOS结构、PROM改造型和快速高电场结构。普通的NMOS结构由存储一个bit的一对互补栅源晶体管构成,这样的单元结构容易受到紫外线的影响,需经过紫外线光照才可以擦除EEPROM。PROM改造型EEPROM不因紫外线的影响,可被电场擦除,因此可以在没有紫外线源的情况下进行擦除。快速高电场结构采用双极结构,具有高速度和高密集度的优点。

EEPROM的工作过程

EEPROM的读操作和EPROM一样,均是采用串行接口,通过发送擦除命令和存储数据的地址来完成。

EEPROM的写操作分为两种:字节编程和页编程。字节编程指的是对EEPROM中的一个字节进行擦除和编程。页编程是将多个字节编程在同一个页面中,从而实现快速编程。不同的EEPROM,它的字或页编程大小不同,同时编程时间也不同。

结论

通过上述介绍,我们了解了EEPROM的定义及其工作原理,以及其在计算机中的应用。EEPROM与EPROM相比,优点更加明显,可多次擦写,可以在没有紫外线源的条件下进行擦除,可以用于需要频繁读写的应用。因此,EEPROM在现代电子技术中得到了广泛的应用。

最终生成的

EEP,全称为Electrically Erasable Programmable Read-Only Memory,即电可擦可编程只读存储器。它是在EPROM的基础上,通过使用电信号来擦除存储内容,而不必像EPROM那样使用紫外线进行擦除。

EEPROM,即Electrically Erasable Programmable Read-Only Memory,又称电可擦可编程只读存储器,是一种在ROM中加入擦写功能而得到的存储器。EEPROM可以在有电的情况下进行数据的擦除和编程。同EEP一样,EEPROM是一种非挥发性存储器,能够在断电的情况下保持数据内容的稳定性。

EEPROM存储的和EPROM一样,在实现数据存取的时候需要发送地址信息以及控制信号来和存储芯片进行交互。但EEPROM在数据擦除和写入时,在电可能状态下,EEPROM在单元晶体管的栅极和源极之间具有非常高的电场,这样就能够将电荷注入或发射又从晶体管中取出。

由于EEPROM是对EPROM的改进,因此与EPROM相比,EEPROM的存取速度和密度都有了很大的提升。

EEPROM与EPROM比较,优点明显。因为EEPROM可多次擦写,而EPROM只能擦写一次。因此EEPROM可以用于需要频繁读写的应用。例如:在计算机中,可将EEPROM用于BIOS中,以提供操作系统的启动信息,还可以在一些固定数据的存储中被使用。

EEPROM的内部由存储单元色可分为3大类:普通NMOS结构、PROM改造型和快速高电场结构。普通的NMOS结构由存储一个bit的一对互补栅源晶体管构成,这样的单元结构容易受到紫外线的影响,需经过紫外线光照才可以擦除EEPROM。PROM改造型EEPROM不因紫外线的影响,可被电场擦除,因此可以在没有紫外线源的情况下进行擦除。快速高电场结构采用双极结构,具有高速度和高密集度的优点。

EEPROM的

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